Закрити

  Авторизація

Логін
Пароль
Запам'ятати на 2 тижні?

Забули пароль?
Якщо ви незареєстровані, пройдіть реєстрацію
Опитування
Опитування

Вам подобається оновлений портал?

Виставки
Виставки

3-5 жовтня 2018 року

Україна, м. Харків,
ПВЦ Радмир Експохол

11-13 жовтня 2018 року

Україна, м. Запоріжжя,
Виставковий центр "Козак-Палац"

6-8 листопада 2018 року

Україна, м. Київ,
Броварський проспект 15, ст. м. „Лівобережна”,

Міжнародний виставковий центр

6-8 листопада 2018 року

Україна, м. Київ ,
Міжнародний виставковий центр Броварський пр-т, 15

20-23 листопада 2018 року

Україна, м. Київ,
Міжнародний виставковий центр

6-8 листопада 2018 року

Україна, м. Київ,
Міжнародний виставковий центр,Броварський проспект, 15
Новини
Делегація НАЕК «Енергоатом» на чолі з президентом компанії Юрієм Недашковським перебувала з робочим візитом на заводі AMD (Advanced Manufacturing Division, місто Камден, США) компанії «Holtec International». Про це...

Виробництво електроенергії в об'єднаній енергосистемі (ОЕС) України у січні – серпні 2018 року зросло на 2,1% (2 млрд 122,3 млн кВт-год) порівняно з аналогічним періодом 2017 року – до 104 млрд 284,7 млн...

Більше новин за тегами
Статті

Електричний щит - це початок всієї електричної частини будівлі, і не важливо, що це - величезний завод у мегаполісі або скромний будиночок у селі. Скрізь є електричні щити

Більше статей за тегами
713
11.07.2007р.
Рекорд яркости зарегистрирован в лаборатории компании OSRAM. Зеленые чипы бьют рекорды
Интенсивность изучения более 180 лм была зарегистрирована в лаборатории OSRAM Opto Semiconductors, при испытаниях «зеленого» светодиодного чипа, созданного на основе новейшей тонкопленочной технологии InGAlP. Чипы площадью 1 мм2 предполагается использовать в светодиодных модулях Dragon и Ostar. Специально разработанные для слабых токов, эти мощные и эффективные светодиоды идеально подходят для подсветки дисплея.

Высокоинтенсивные зеленые чипы разработаны для подсветки жидкокристаллических дисплеев. Они достигают максимальной эффективности при силе тока от 100 до 350 мА. Чтобы обеспечить достаточный уровень яркости в дисплеях с большой диагональю, требуется меньшее количество светодиодов. Благодаря низкому энергопотреблению, практически не превышающему одного ватта, светодиоды с новыми чипами предъявляют весьма умеренные требования к охлаждению дисплея.

В лабораторных условиях интенсивность излучения чипом зеленого света с длиной волны 527 нм превышала 180лм при рабочем токе 1 А. При токе 350 мА и потребляемой мощности 1,4 Вт, интенсивность излучения составляет 100 лм (эффективность - 72лм/Вт). Для сравнения, зеленые светодиодные чипы предыдущего поколения Platinum Dragon достигают выходной световой мощности 100 лм только при токе 1 А.

Увеличение мощности достигнуто благодаря применению новой эпитаксиальной технологии и улучшенной конструкции чипа.

Компания OSRAM планирует начать серийное производство светодиодных излучателей на основе данных чипов до середины 2008 года.

Рекорд яркости зарегистрирован в лаборатории компании OSRAM. Зеленые чипы бьют рекорды. Благодаря применению новой эпитаксиальной технологии и улучшению конструкции достигнута высокая эффективность светодиодных чипов нового поколения.

www.osram.ru




Поділіться цією інформацією в соцмережах, дякуємо за популяризацію порталу:
Також Ви можете:

Додати до закладок Підписатись Версія для друку



Коментарів немає, будьте першими та розпочніть дискусію


   



Пропозиції, що можуть Вас зацікавити
Більше пропозицій за тегами
При використанні матеріалів посилання на www.proelectro.info (для інтернет ресурсів з гіперссилкою) обов'язкове.