Закрити

  Авторизація

Логін
Пароль
Запам'ятати на 2 тижні?

Забули пароль?
Якщо ви незареєстровані, пройдіть реєстрацію
Опитування
Опитування

Вам подобається оновлений портал?

Виставки
Виставки

3-5 жовтня 2018 року

Україна, м. Харків,
ПВЦ Радмир Експохол

11-13 жовтня 2018 року

Україна, м. Запоріжжя,
Виставковий центр "Козак-Палац"

6-8 листопада 2018 року

Україна, м. Київ,
Броварський проспект 15, ст. м. „Лівобережна”,

Міжнародний виставковий центр

6-8 листопада 2018 року

Україна, м. Київ ,
Міжнародний виставковий центр Броварський пр-т, 15

20-23 листопада 2018 року

Україна, м. Київ,
Міжнародний виставковий центр

6-8 листопада 2018 року

Україна, м. Київ,
Міжнародний виставковий центр,Броварський проспект, 15
Новини
Делегація НАЕК «Енергоатом» на чолі з президентом компанії Юрієм Недашковським перебувала з робочим візитом на заводі AMD (Advanced Manufacturing Division, місто Камден, США) компанії «Holtec International». Про це...

Президент НАЕК «Енергоатом» Юрій Недашковський розкритикував новий склад Національної комісії з регулювання енергетики та комунальних послуг та назвав формулу «Роттердам+» корупційною.

Більше новин за тегами
Статті

Електричний щит - це початок всієї електричної частини будівлі, і не важливо, що це - величезний завод у мегаполісі або скромний будиночок у селі. Скрізь є електричні щити

Більше статей за тегами
1224
05.07.2006р.
Недорогие чипы будут производится при помощи ультрафиолета
Диэлектрик в современных полупроводниковых микрочипах играет чрезвычайно важную роль, входя в структуру абсолютно всех транзисторов, являющихся базовыми элементами процессоров, контроллеров, и т.д. От физических параметров диэлектрика зависят все важнейшие характеристики процессоров – производительность, уровень тепловыделения; однако формирование изоляторов на кремниевой пластине, которые сегодня использует абсолютное большинство производителей чипов, является довольно сложной технической задачей.

Одной из основных проблем является высокая (до 1000 градусов по шкале Цельсия) температура внутри реактора, в котором осуществляется окисление кремниевой пластины, что не только усложняет задачу конструирования самого реактора, но и приводит к значительным энергетическим затратам. Естественно, подобная техника производства повышает стоимость конечного продукта.

Однако исследователи нашли решение, которое позволяет значительно снизить температуру окисления поверхности кремниевой пластины – процесс взаимодействия полупроводника и кислорода проводится при воздействии ультрафиолетового излучения. При этом разработчики предлагают использовать стандартные ультрафиолетовые лампы, энергопотребление которых заметно ниже, чем у используемого сегодня оборудования.

Согласно заявлению исследователей, внедрение подобной техники окисления на современном этапе развития производства микрочипов не требует значительных материальных вложений и переналадки оборудования, а серьёзные преимущества подобного решения позволят обратить внимание чипмейкеров и сэкономить деньги будущих покупателей.

www.ukrindustrial.com

Теги та ключові фрази
статичний перетворювач, статичний перетворювач енергозберігаючий пристрій
Більше новин за тегами


Поділіться цією інформацією в соцмережах, дякуємо за популяризацію порталу:
Також Ви можете:

Додати до закладок Підписатись Версія для друку



Коментарів немає, будьте першими та розпочніть дискусію


   



Пропозиції, що можуть Вас зацікавити
Більше пропозицій за тегами
При використанні матеріалів посилання на www.proelectro.info (для інтернет ресурсів з гіперссилкою) обов'язкове.