Закрити

  Авторизація

Логін
Пароль
Запам'ятати на 2 тижні?

Забули пароль?
Якщо ви незареєстровані, пройдіть реєстрацію
Опитування
Опитування

Вам подобається оновлений портал?

Новини
Уряд не підтримує ретроспективну зміну правил для інвесторів, які вклали кошти у розвиток “зеленої” енергетики, і визнає, що така модель шкодить економіці. Про це заявив прем’єр-міністр...

Традиційно в світі як енергоносії використовуються горючі корисні копалини: нафта, природний газ, вугілля, менше – торф. Усе це – вуглецеве паливо, за використання якого виділяється...

Більше новин за тегами
Статті

Електричний щит - це початок всієї електричної частини будівлі, і не важливо, що це - величезний завод у мегаполісі або скромний будиночок у селі. Скрізь є електричні щити

Більше статей за тегами
337
16.04.2015р.
Виявлено новий вид перенесення електричного заряду у напівпровідниках
Учені з університету Аальто (Aalto University), Фінляндія і університету Марбурга (University of Marburg), Німеччина деякий час спільно вивчали процеси перенесення електричних зарядів на кордонах напівпровідникових матеріалів різних типів. І під час цих експериментів вони помітили новий вид перенесення електричного заряду, в якому носієм є пара, сформована негативно зарядженим електроном і носієм позитивного заряду, електронною діркою. Коли така пара наближається до кордону між матеріалами, її заряд переноситься через нього і продовжує рухатися за допомогою такої ж самої пари носіїв. Якщо процеси такого незвичайного перенесення зарядів вдасться використати з певною метою, то це відкриє цікаві перспективи для швидшого і ефективнішого виконання складних логічних операцій в електронних пристроях.

 

«Крім мікроелектроніки процеси перенесення електричних зарядів відіграють важливу роль у багатьох видах хімічних, фізичних і біологічних процесів, таких як фотосинтез», – розповідає професор Ілкка Тіттоні з університету Аальто.

Згідно з канонами класичної фізики заряджена частинка не може подолати бар'єр між двома напівпровідниковими матеріалами різних типів, однак завдяки явищу квантового тунелювання такі частинки проходять через бар'єри, якщо їх товщина дає змогу це зробити. У нещодавно виявленому виді перенесення за допомогою тунелювання переміщаються не окремі заряди, точніше, не окремі частинки, а інформація, котру містить пара електрона і електрично пов'язаного з ним носія позитивного заряду. Ця пов'язана пара становить квазічастинку, що має назву екситон.

«Спостережуваний нами процес досить унікальний. За допомогою оптичного імпульсу терагерцової частоти інформація, представлена у вигляді так званої кореляції пари електрон–дірка, переноситься через бар'єр, без процесу тунелювання екситону, який розпадається на одному боці і виникає на іншому боці бар'єра», – розповідає професор І. Тіттоні. – До останнього часу в будь-якій із галузей сучасної фізики нам не вдавалося спостерігати явищ, еквівалентних цьому».

У новому явищі поєднувані напівпровідникові і терагерцеві технології, що дасть змогу реалізувати в мікроелектроніці виконання абсолютно нових типів логічних операцій. Можливо, на основі цього явища будуть спроектовані нові типи мікропроцесорів, які функціонують частково на принципах оптики, а частково – на принципах традиційної електроніки.

Джерело: dailytechinfo.org




Поділіться цією інформацією в соцмережах, дякуємо за популяризацію порталу:
Також Ви можете:

Додати до закладок Підписатись Версія для друку



Коментарів немає, будьте першими та розпочніть дискусію


   



Пропозиції, що можуть Вас зацікавити
Більше пропозицій за тегами
При використанні матеріалів посилання на www.proelectro.info (для інтернет ресурсів з гіперссилкою) обов'язкове.