На складе имеются образцы новых силовых модулей Semikron SKM200GB12V с кристаллами V-IGBT. В дополнение к уже выпускаемым модулям SEMITRANS с чипами IGBT Trench 4, семейство SEMITRANS теперь может комплектоваться 1200 В кристаллами V-IGBT.

Основные положения:

• В основе новых чипов 1200V Trench технология;
• Силовые модули с V-IGBT чипом имеют в конце маркировки 12V;
• Размер чипов аналогичен IGBT4;
• Используются одинаковые типы диодов – CAL 4.

Особенности применения V-IGBT:

• V-IGBT имеют более высокую скорость коммутации, чем IGBT4 или SPT при одинаковом резисторе затвора RG (большее значение di/dton);
• Потери включения Eon для V-IGBT (при аналогичном и меньшем RG) ниже чем у IGBT4;
• Скорость коммутации V-IGBT может быть снижена при использовании большего значения RGon. При этом характер коммутации становится аналогичен IGBT4;
• Поведение при выключении у чипов различного типа аналогично
• Потери выключения Eoff аналогичны (вне зависимости от величины RG);
• В отличие от IGBT4, du/dt и di/dtoff для V-IGBT уменьшаются с ростом RGoff;
• RG влияет на потери обратного восстановления Err;
• Увеличение RG приводит к снижению Err;
• Потери обратного восстановления модулей с диодами CAL4 аналогичны, независимо от типа IGBT (V-IGBT или IGBT4)
• Заряд затвора QG у V-IGBT на 90% больше чем у IGBT4 и на 20% больше чем у IGBT SPT (этот факт необходимо учитывать при выборе драйвера и расчете мощности потерь схемы управления);
• V-IGBT и IGBT4 имеют одинаковые ограничения ОБР / SOA (Safe Operating Area);
• Уровень перенапряжения при большем значении VDC для V-IGBT ниже, чем у IGBT4;
• Максимальный ток инвертора с V-IGBT аналогичен IGBT4.