В производственной программе SEMIKRON маломощные модули SEMITOP являются самыми малогабаритными. Они рассматриваются как альтернатива дискретным приборам в корпусах ТО — наиболее популярным компонентам для разработки и производства преобразователей мощностью до 5 кВт. Модули SEMITOP выпускаются по уникальной прижимной технологии SKiiP, разработанной SEMIKRON и позволяющей обеспечить хорошие тепловые характеристики и высокие показатели надежности.
Несомненным преимуществом применения интегральных малогабаритных модулей вместо дискретных корпусов ТО является то, что можно в 2-4 раза увеличить мощность преобразовательного устройства при аналогичных габаритах силового каскада.
Модуль SEMITOP 4 SK50GH12T4T (мост IGBT 4 Trench) заменяет 4 дискретных IGBT в корпусе ТО.
Технические данные:
-номинальное напряжение U=1200 V;
-длительно допустимый ток коллектора при температуре корпуса 25 градусов— IC@ (TC=25C) =75A;
-длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса — Icnom=50A;
-напряжение насыщения коллектор-эмиттер — VCEsat=1,80V;
-потери энергии при включении — EON=8,3mJ;
-потери энергии на выключение — EOFF=5,0mJ;
-тепловое сопротивление переход-корпус (IGBT) — Rthjc=0,65K/W;
-прямой ток (обратного диода) при температуре корпуса 25 градусов — IF @ (TC=25C) =56A;
-(непосредственное) прямое падение напряжения (на обратном диоде) —VF=2,20V;
-потери энергии при обратном восстановлении (обратного диода) — Err=2,15mJ;
-тепловое сопротивление переход-корпус (диод) — Rthjc-D=1,05K/W.